Награду CES 2018 Innovation получила память Samsung GDDR6
Проблема ограниченной пропускной возможности графической памяти GDDR5 в своё время привела к поступлению графических адаптеров и HPC-ускорителей с буферной памятью HBM (HBM1) и позднее — HBM2. Соединение графического ядра и кристаллов High Bandwidth Memory через промежуточный кремниевый слой позволило как повысить пропускную способность подсистемы памяти, так и существенно уменьшить площадь, занимаемую главными элементами видеокарты. В то же время и недочетов у решений с HBM/HBM2 оказалось много: большая себестоимость и, как следствие, ограничение объёма памяти, практическое отсутствие способности замены чипов VRAM в рамках 1-го поколения GPU (снова же из-за дополнительных издержек) и мощная зависимость от подрядчиков. Всё это стало предпосылкой параллельного выпуска high-end графических адаптеров с буферной памятью типов GDDR5, GDDR5X (чуть ли полноценная замена GDDR5) и HBM2.
В первой половине следующего года на выручку недостаточной быстрой памяти GDDR5 и более дорогой GDDR5X придут микросхемы последнего поколения — GDDR6. Производством последних уже занимаются компании Samsung и SK Hynix, и массовые поставки должны начаться в ближайшие месяцы. Все же в серийных видеокартах GDDR6 появится только весной — с первыми анонсами адаптеров NVIDIA GeForce и/либо TITAN на 12-нм чипах Volta. До этого Samsung Electronics информировала общественность о своих планах по выпуску микросхем GDDR6 с пропускной способностью от 14 до 16 Гбит/с на контакт (против наибольших 9 Гбит/с у GDDR5 и 10–11,4 Гбит/с у GDDR5X), а SK Hynix анонсировала 8-Гбит (1-Гбайт) чипы GDDR6 с пределом пропускной возможности в 16 Гбит/с на контакт.
Война пресс-релизов между южнокорейскими производителями VRAM длится и в эти дни. Среди массы товаров Samsung, удостоившихся награды CES 2018 Innovation, нашлось место и для 16-Гбит (2-Гбайт) микросхемы GDDR6.
«Samsung GDDR6 ёмкостью 16 Гбит — самая быстрая и самая экономная DRAM-память для графических товаров следующего поколения. Она обрабатывает изображения и видео с пропускной способностью 16 Гбит/с на контакт и общей ПСП в 64 Гбайт/с, что эквивалентно передаче объёма 12-ти DVD-дисков с Full HD видео в сек.. Новая DRAM может работать при напряжении 1,35 В, что обеспечивает дополнительное преимущество в сравнении с нынешней графической памятью, которой нужно 1,5 В при пропускной возможности всего 8 Гбит/с на контакт».
Как удалось узнать ресурсу VideoCardz, вышеприведённое описание соответствует продукту Samsung GDDR6 с маркировкой K4ZAF325BM. Восемь таких микросхем (в сумме 128 Гбит либо 16 Гбайт) обеспечат общую пропускную способность в 512 Гбайт/с при 256-битной шине памяти, а двенадцать чипов — 768 Гбайт/с при 384-битной шине. Для сопоставления, буферная память HBM2 у видеокарты Radeon RX Vega 64 (и ряда неигровых адаптеров) характеризуется общей ПСП в 484 Гбайт/с, а у HPC-ускорителя Tesla V100 — 900 Гбайт/с. Естественно, разработка High Bandwidth Memory также не стоит на месте, но условная HBM3 очевидно задержится относительно GDDR6.