Samsung начнет массовое производство памяти HBM4 и 2-нм чипов в 2026 году

Южнокорейская компания Samsung объявила о планах по запуску массового производства передовых технологических решений в 2026 году. В перечень запланированных продуктов вошли память HBM4 следующего поколения и 2-нм чипы.

Отчет за третий квартал 2025 года показал рост выручки компании на 15,4% до 86,1 трлн вон. Рекордные продажи были достигнуты в сегменте памяти, чему способствовал высокий спрос на продукты HBM3E и серверные SSD-накопители для систем искусственного интеллекта (ИИ).

Новая память HBM4 демонстрирует скорость передачи данных до 11 Гбит/с. Компания уже отправила образцы партнерам, включая производителей ускорителей для ИИ. Планируется, что эти решения будут использоваться в будущих продуктах NVIDIA и AMD.

Также в 2026 году Samsung сосредоточится на стабильных поставках 2-нм чипов по технологии GAA. Производство будет расширено за счет нового завода в Техасе. Дополнительно компания будет выпускать высокоплотную память DDR5 объемом 128 ГБ и более, LPDDR5x, а также видеопамять GDDR7 с кристаллами на 24 Гбит.