ТОМСК, 3 мар – РИА Томск. Российские производители микроэлектроники в 2026 году впервые начнут получать бромид водорода (HBr) высокой чистоты отечественного производства; его будут производить в Томске на специализированной установке, созданной Инжиниринговым химико-технологическим центром (ИХТЦ) и Томским госуниверситетом (ТГУ), сообщает во вторник пресс-служба вуза.Уточняется, что в микроэлектронике сверхчистый бромистый водород применяется главным образом как технологический газ для плазмохимического (RIE/ICP) травления кремния, поликремния и родственных материалов. Высокая чистота HBr критична для снижения дефектности и предотвращения паразитного загрязнения, что важно при производстве современных интегральных схем, включая современные микросхемы, в том числе банковских и транспортных карт."ИХТЦ совместно с ТГУ завершил разработку и создание установки для производства высокочистого бромида водорода (HBr) чистотой 5N. Первые 100 килограммов российского бромида водорода высокой чистоты для микроэлектроники будут поставлены на российские предприятия в первом полугодии 2026 года", – говорится в сообщении.Отмечается, что ключевые предприятия-потребители подтвердили планы по переходу с импортного HBr, в первую очередь китайского производства, на российское сырье с 2026 года. Томский ИХТЦ – единственный в России производитель этого стратегически важного вещества.Добавляется, что проект выполнен по заказу Минпромторга РФ. Установка с годовой производительностью до 650 килограммов конечного продукта размещена в Томске на опытно-промышленной площадке ИХТЦ и готова к запуску. Общий объем финансирования проекта составил 260,5 миллиона рублей
