Ученые переработали RRAM. Теперь на ней можно запустить обучение моделей ИИ
Функционирование RRAM основано на эффекте резистивного переключения — обратимом бистабильном (мультистабильном) изменении электропроводности диэлектрика под действием внешнего электрического поля. Диэлектрики, которые в нормальном состоянии имеют очень высокое сопротивление, после приложения достаточно высокого напряжения формируют внутри себя проводящие нити низкого сопротивления (филаменты), и по сути, превращаются из диэлектрика в проводник. Формирование этих нитей часто требует слишком...
Читать дальше...