Компания Samsung представила первый в мире коммерческий образец HBM4
Согласно пресс-релизу компании, благодаря использованию передовых 10-нанометровых (1c) микросхем DRAM 6-го поколения и 4-нанометровых логических микросхем, компания с самого начала добилась высокой производительности и максимальной эффективности без необходимости внесения изменений в конструкцию.
Примечательно, что, по данным Samsung, скорость обработки данных в HBM4 составляет 11,7 Гбит/с, что примерно на 46% выше отраслевого стандарта в 8 Гбит/с. Это также в 1,22 раза выше, чем у HBM3E, максимальная скорость которого составляла 9,6 Гбит/с. По словам компании, производительность может быть увеличена до 13 Гбит/с.
Общая пропускная способность памяти на один стек также увеличилась в 2,7 раза по сравнению с HBM3E и достигла максимального значения в 3,3 ТБ/с, что подтверждает лидерство HBM4 в области высокопроизводительных вычислений.
На данный момент Samsung выпустила 12-слойные чипы HBM4 емкостью от 24 до 36 ГБ, сообщает компания. В перспективе 16-слойные чипы расширят линейку до 48 ГБ, что позволит гиганту в сфере производства памяти соответствовать потребностям клиентов и срокам.
Стали известны и более подробные характеристики: согласно пресс-релизу, HBM4 от Samsung обеспечивает повышение энергоэффективности на 40 % благодаря низковольтной технологии TSV и оптимизированным сетям распределения питания, при этом тепловое сопротивление снижается на 10 %, а теплоотвод улучшается на 30 % по сравнению с HBM3E.
Компания Samsung прогнозирует, что в 2026 году продажи HBM вырастут более чем в три раза по сравнению с 2025 годом, и активно наращивает производственные мощности для выпуска HBM4. Ожидается, что после успешного вывода на рынок HBM4 во второй половине 2026 года начнется тестирование HBM4E, а в 2027 году клиенты смогут получить образцы HBM по индивидуальным спецификациям.
Сообщение Компания Samsung представила первый в мире коммерческий образец HBM4 появились сначала на Время электроники.