Российские учёные создадут транзисторы нового поколения для систем связи
Специалисты Томского государственного университета (ТГУ) совместно с АО НПФ «Микран» создают технологию промышленного производства тонкоплёночных полупроводниковых гетероструктур для изделий гражданского, оборонного и космического назначения. Фотографии ТГУ Речь идёт прежде всего о разработке транзисторов нового поколения с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor, HEMT). Российские исследователи рассчитывают повысить удельную мощность таких изделий. «Для производства современных […]