Samsung представила быструю память HBM4E и накопители с интерфейсом PCIe 6.0
На конференции NVIDIA GTC 2026 в Сан-Хосе компания Samsung Electronics представила новые высокоскоростные технологии памяти и решения для вычислений с использованием искусственного интеллекта, подчеркнув углубление партнёрства с NVIDIA на фоне растущего спроса на ИИ-инфраструктуру.
Компания представила память HBM4 шестого поколения, которая уже поступила в серийное производство и предназначена для будущей платформы искусственного интеллекта NVIDIA Vera Rubin. Samsung заявляет, что новая память обеспечивает скорость передачи данных до 11,7 ГБит/с на контакт, превышая типичный отраслевой показатель в 8 ГБит/с. Потенциально скорость может достигать 13 ГБит/с при использовании 10-нм техпроцесса DRAM шестого поколения.
Samsung также впервые представила память HBM4E следующего поколения, способную обеспечивать скорость до 16 ГБит/с на контакт и пропускную способность до 4 ТБ/с. Решение ориентировано на задачи искусственного интеллекта и использование в крупных центрах обработки данных.
Модуль памяти SOCAMM2 рассчитан на применение в серверах для задач ИИ. По данным разработчика, он обладает высокой пропускной способностью и упрощает интеграцию в инфраструктуру следующего поколения. На данный момент SOCAMM2 уже запущен в массовое производство.
Твердотельный накопитель PM1763 оснащён интерфейсом PCIe 6.0 и обеспечивает высокоскоростной обмен данными при большой ёмкости. Устройство соответствует архитектуре хранения данных NVIDIA BlueField-4 STX.
Кроме того, корейский производитель продемонстрировал гибридную технологию медного соединения, предназначенную для создания многослойных микросхем памяти из 16 и более слоёв. При этом тепловая нагрузка снижается более чем на 20% по сравнению с традиционным методом термокомпрессионного соединения.
Помимо решений для центров обработки данных, Samsung объявила о сотрудничестве с NVIDIA для развития инициативы AI Factory с использованием ускоренных вычислений и технологий цифровых двойников на базе NVIDIA Omniverse. Это позволит улучшить процессы проектирования и производства полупроводников.
Компания также представила решения памяти для персональных устройств с поддержкой ИИ, включая DRAM LPDDR5X и LPDDR6. Они предназначены для ускоренной обработки данных на устройствах, таких как смартфоны, планшеты и носимая электроника.