«Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в кристальное производство на базе НИИЭТ в Воронеже

ПАО "Элемент" объявило о начале масштабного инвестиционного проекта в Воронежской области. Компания направит 4,4 млрд рублей на создание кристального производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) на базе НИИ электронной техники (НИИЭТ).

Производство планируется запустить к 2028 году, а через два года вывести на проектную мощность - 5,5 тыс. 200-мм пластин в год.

Новые транзисторы будут использоваться для собственных нужд группы - их применят в модулях усиления радиосигнала, в блоках питания базовых станций, а также в современных серверных решениях.

НИИЭТ уже обладает опытом в серийном выпуске GaN-силовых приборов и сборке СВЧ- и переключающих транзисторов. Реализация проекта позволит создать первое в России производство нитрид-галлиевых транзисторов полного цикла.

Инвестиции в размере 4,4 млрд рублей выделяются с применением механизмов кластерной инвестиционной платформы (КИП) Фонда развития промышленности (ФРП).

Сумма льготного кредита по КИП может составлять до 80% стоимости инвестпроекта.

Расширение производства НИИЭТ происходит в рамках масштабной инвестпрограммы "Элемента" объемом 92 млрд рублей, финансирование которой уже обеспечено на 90%.