Химики ННГУ займутся разработкой отечественного материала лазерной техники
![Химики ННГУ займутся разработкой отечественного материала лазерной техники](https://nta-pfo.ru/upload/iblock/4c3/igfd7zse9j5p2mn7j1gm4b040sng4ckt.jpg)
Работа будет вестись на средства гранта, который ННГУ выиграл у Российского научного фонда по выполнению прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив президента РФ в научно-технологической сфере в области производства оптоэлектронных приборов, в том числе полупроводниковых лазеров, микродисплеев, фотоприёмных матриц.
«Научно-технологическая проблема заключается в том, что в настоящее время в России отсутствуют собственные технологии получения высокочистого поликристаллического арсенида галлия (GaAs), необходимого для выращивания монокристаллического GaAs – базового материала СВЧ-электроники и лазерной техники. Сложившаяся в НИИ химии научная школа, опыт работы нашей лаборатории позволяют реализовать проект, направленный на выстраивание технологической цепочки производства необходимых веществ в объёме, полностью удовлетворяющем потребности внутреннего рынка, в перспективе – с выходом на внешний рынок», – рассказал руководитель проекта, заведующий Научно-исследовательской лабораторией технологии высокочистых материалов НИИ химии Университета Лобачевского Леонид Мочалов.
Проект рассчитан на три года, сумма выделенного гранта – 95 миллионов рублей.