«Ангстрем-Т» освоил Trench MOSFET технологию производства силовых транзисторов
Trench технология позволяет значительно (в 2 … 3 раза) по сравнению с планарной уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, меньшей мощности управления и при высокой устойчивости к лавинному пробою.
Читать дальше...