В Китае создали чип с памятью толщиной в один атом

Научная группа Фуданьского университета в Шанхае под руководством профессора Чунсена Лю разработала гибридный чип, объединяющий двумерные модули памяти толщиной в один атом с традиционной кремниевой архитектурой. Результаты исследования опубликованы в научном журнале Nature.

В основе разработки лежит технология Atom2Chip, позволяющая интегрировать монослой дисульфида молибдена непосредственно на поверхность КМОП-чипа. Толщина двумерного материала составляет один атомный слой. Для защиты атомарного слоя от повреждений исследователи применили специальную систему упаковки и разработали кроссплатформенную архитектуру для обеспечения связи между двумерными схемами и кремниевой платформой.

Созданный прототип представляет собой чип NOR-флэш-памяти емкостью 1 килобайт. Устройство функционирует на частоте 5 мегагерц. Время программирования и стирания данных составляет 20 наносекунд. Чип способен выполнять операции чтения, записи и стирания информации по внешним командам.

Интеграция двумерных материалов с кремниевыми чипами решает проблему физических ограничений миниатюризации традиционных полупроводников. Кремниевая технология достигла предела уменьшения размеров транзисторов, тогда как двумерные материалы открывают возможности для дальнейшего масштабирования электронных компонентов. Разработанная технология может применяться для создания процессоров и других типов микросхем.

Источник: Notebookcheck