Samsung ожидает существенного улучшения характеристик микросхем с обратной подачей питания.
Производители микросхем периодически напоминают общественности о полезности технологии подачи питания с обратной стороны. Согласно опубликованным данным, она позволяет снизить энергопотребление, нагрев, увеличить производительность итогового продукта и улучшить другие характеристики, что не может не радовать как заказчиков, так и простых пользователей.
Пока Intel демонстрирует первые кристаллы со своей технологией подачи питания с обратной стороны, Samsung решила рассказать про свою аналогичную технологию, именуемую как Backside Power Delivery Network (BS - PDN. В опубликованном документе, показанном в рамках симпозиума Vlsi, отмечается уменьшение площади двух кристаллов ARM на 10. 6%. И 19% соответственно, сокращение длины проводки на 9. 2%, улучшение Fmax на 3. 6%, уменьшение площади стандартного блока на 2. 4% и увеличение его производительности на 1. 6%.
Южнокорейский производитель микросхем не говорит, когда и с каким технологическим узлом он планирует внедрить свою технологию подачи питания с обратной стороны. Сейчас Samsung выпускает 3- нм продукцию на основе транзисторов Gaafet, но она создается без использования BS - PDN.