Ученые разрабатывают элементы магнитной памяти для создания сверхбыстрых устройств нового поколения
Как сообщает Минобрнауки России, ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) совместно с иностранными коллегами провели экспериментальные исследования зависимости скорости движения доменной стенки от температуры в ферримагнитных структурах для создания сверхбыстрых устройств магнитной памяти нового поколения.